半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 山口 武治; 向原 智一; 粕川 秋彦 |
| 发表日期 | 2001-05-25 |
| 专利号 | JP2001144371A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 光出力及び発振スペクトルが注入電流に対して安定して、動作する半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 本半導体レーザ素子30は、バンドギャップエネルギーEg1 のn型GaAs基板32上に、順次、エピタキシャル成長した、n型AlGaAsクラッド層34、InGaAs/GaAsの2層から成る量子井戸構造として形成され、バンドギャップエネルギーEg2 がEg1 より小さい活性層36、p型AlGaAsクラッド層38、及びp型GaAsキャップ層40の積層構造を備える。キャップ層及びp型クラッド層の上部はストライプ状メサ構造として形成されている。キャップ層上を除く領域には、SiNパッシベーション膜42が成膜されていて、露出キャップ層及びパッシベーション膜上には、p側電極44が形成されている。基板裏面には、In/AuGe/Ni/Auの積層金属膜からなるn側電極46が形成され、かつ、GaAs 基板とn型電極との間には、InGaAs層48が吸収媒質層として介在している。 |
| 公开日期 | 2001-05-25 |
| 申请日期 | 1999-11-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85123]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口 武治,向原 智一,粕川 秋彦. 半導体レーザ素子. JP2001144371A. 2001-05-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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