半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 梶川 靖友; 畑 雅幸 |
| 发表日期 | 1993-04-30 |
| 专利号 | JP1993110197A |
| 著作权人 | 光技術研究開発株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層中に量子井戸を有する半導体レーザの低しきい値化、高効率化、及び高出力化を図る。 【構成】 活性層13は、膜厚5nmのAl組成35%のAlGaAs層と、膜厚5nmのGaAs層とを5周期積層した(110)方向の多重量子井戸である。また、活性層13は幅4μmの[001]方向のリッジ構造とし、[001]方向の導波路が形成されている。 |
| 公开日期 | 1993-04-30 |
| 申请日期 | 1991-10-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85147]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 光技術研究開発株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梶川 靖友,畑 雅幸. 半導体レーザ. JP1993110197A. 1993-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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