Nitride light emitting device and manufacturing method thereof
文献类型：专利
| 作者 | JEONG, HWAN HEE |
| 发表日期 | 2009-01-29 |
| 专利号 | US20090028202A1 |
| 著作权人 | LG INNOTEK CO., LTD |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Nitride light emitting device and manufacturing method thereof |
| 英文摘要 | A nitride light emitting device includes a first conduction type cladding layer, an active layer, and a second conduction type cladding layer that are stacked on a substrate. The second conduction type cladding layer has an uneven shape including at least one concave and/or convex portion. |
| 公开日期 | 2009-01-29 |
| 申请日期 | 2006-07-31 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85158]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | LG INNOTEK CO., LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | JEONG, HWAN HEE. Nitride light emitting device and manufacturing method thereof. US20090028202A1. 2009-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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