半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 沢野 博之 |
| 发表日期 | 1995-09-26 |
| 专利号 | JP1995249825A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 閾値電流の低い逆SAS構造のレーザを実現する。 【構成】 n-GaAs基板1上に、MOVPE法によってn-AlGaInPクラッド層2、GaInP活性層3、p-AlGaInPクラッド層4、p-GaInPエッチングストッパ層5、p-AlGaInPクラッド層6を順次形成する。次に、フォトリソグラフィ技術、およびエッチング技術を用い、メサ形成プロセスによりメサ22を形成する。その後MOVPE法によりn-第1電流ブロック層30、p-第2電流ブロック層31を形成する。さらにn電極10、p電極9を形成し、各チップに分離する。 |
| 公开日期 | 1995-09-26 |
| 申请日期 | 1994-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85161]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沢野 博之. 半導体レーザ. JP1995249825A. 1995-09-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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