窒化物系化合物半導体レーザ素子及びレーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 近江 晋; 奥村 敏之; 猪口 和彦 |
| 发表日期 | 1999-03-30 |
| 专利号 | JP1999087850A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系化合物半導体レーザ素子及びレーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体レーザをパッケージに組み込んだ際、レーザ素子の積層構造体を通して漏れ出る光によるホトダイオードの誤作動があった。 【解決手段】 基板と基板上の積層構造体を有する窒化物系化合物半導体レーザ素子において、積層構造体中の、活性層を挟んでサブマウント等へのマウント面とは反対側のクラッド層と、マウント面に、活性層よりも小さなバンドギャップを有する光吸収層を設けることを特徴とする、窒化物系化合物半導体レーザ素子。 |
| 公开日期 | 1999-03-30 |
| 申请日期 | 1997-09-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85163]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近江 晋,奥村 敏之,猪口 和彦. 窒化物系化合物半導体レーザ素子及びレーザ装置. JP1999087850A. 1999-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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