半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山田 美保; 高橋 康仁; 久保 実; 佐々井 洋一 |
| 发表日期 | 1995-02-14 |
| 专利号 | JP1995045900A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 低温で形成した良質な絶縁膜を備えた半導体レーザを提供する。 【構成】 n型GaAs基板1上にn型Zn1-xMgxSySe1-yクラッド層2、n型ZnS0.07Se0.93ガイド層3、アンドープCd0.1Zn0.9Se活性層4、p型ZnS0.07Se0.93ガイド層5、p型Zn1-xMgxSySe1-yクラッド層6、p型ZnSeキャップ層7を順次形成する。溝13を形成する。溝13およびp型ZnSeキャップ層7上にLPD膜8を形成する。リッジ部14上のLPD膜を取り除く。LPD膜を取り除いたリッジ部14上にAu電極9を形成する。LPD膜8およびAu電極9上にCr電極10を形成する。Cr電極10上にAu電極11を形成する。n型GaAs基板1側にIn電極12を形成する。 |
| 公开日期 | 1995-02-14 |
| 申请日期 | 1993-07-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85170]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 美保,高橋 康仁,久保 実,等. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1995045900A. 1995-02-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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