窒化物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 長濱 慎一 |
| 发表日期 | 2003-07-04 |
| 专利号 | JP3446660B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 従来例に比較してさらに出力と素子信頼性の高い窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 Inを含む窒化物半導体からなる活性層と、AlxGa1-xN(0aGa1-aN(0bGa1-bN(0 |
| 公开日期 | 2003-09-16 |
| 申请日期 | 1999-06-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85172]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長濱 慎一. 窒化物半導体発光素子. JP3446660B2. 2003-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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