半導体発光装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 一色 邦彦 |
| 发表日期 | 1995-03-31 |
| 专利号 | JP1995086675A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体発光装置及びその製造方法において、発光端面におけるレーザ光の吸収による素子性能の劣化を防止するとともに、該素子性能劣化のための構造を容易に実現する。 【構成】 n型Alx Ga1-x Asクラッド層2上にGaAs量子井戸層3aを形成し、この上に素子の発光端面となる領域を除いて、ストライプ状の複数のレジスト10を並列に設けてエッチングを行い量子細線層3を形成し、上記レジスト10を除去した後、量子細線層3よりも禁制帯幅の広いp型Alx Ga1-x Asクラッド層4を設ける。 【効果】 高性能,高出力,かつ高信頼性な半導体発光装置を簡単な製造方法で得ることができる。 |
| 公开日期 | 1995-03-31 |
| 申请日期 | 1993-09-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85174]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 一色 邦彦. 半導体発光装置及びその製造方法. JP1995086675A. 1995-03-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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