リッジ型分布帰還半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | ▼たか▲木 和久; 白井 聡; 青柳 利隆; 立岡 靖晃; 綿谷 力; 花巻 吉彦 |
| 发表日期 | 2005-06-23 |
| 专利号 | JP2005166998A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | リッジ型分布帰還半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ発振の閾値電流が低く、発光効率の大きいリッジ型分布帰還半導体レーザを提供する。 【解決手段】 n-InP基板101の上方に形成されたn-InGaAsP回折格子層112と、この回折格子層112の上方に形成されたAlGaInAs-MQW活性層103と、この活性層103の上に形成され、p-InPクラッド層106およびp-InGaAsコンタクト層108を備えたリッジ部114とを有する。ここで、回折格子層112のバンドギャップエネルギーに相当する波長λgとレーザ光の発振波長λとは、λ-150nm<λg<λ+100nmの関係を満たす。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2005-06-23 |
| 申请日期 | 2003-12-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85195]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▼たか▲木 和久,白井 聡,青柳 利隆,等. リッジ型分布帰還半導体レーザ. JP2005166998A. 2005-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。