4族系半導体装置、半導体光装置、および半導体高発光部材
文献类型：专利
| 作者 | 中川 清和; 木村 嘉伸; 宮尾 正信 |
| 发表日期 | 1999-02-16 |
| 专利号 | JP1999046014A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 4族系半導体装置、半導体光装置、および半導体高発光部材 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明の目的は、シリコン系4族半導体で光集積回路装置を可能とすることにある。 【解決手段】 シリコンとシリコン以外の4族元素、例えばゲルマニウムという4族系半導体からなるシリコンとシリコン以外の4族元素の混晶を用いて発光素子部と受光素子部を隣接する同一基板上に形成する。 【効果】 シリコン以外の4族元素を分散させたシリコンーゲルマニウム混晶からなる高発光効率の発光素子と受光素子形成が可能となる。同一シリコン基板上に電子素子部と発光および受光の光素子部形成が可能となる。 |
| 公开日期 | 1999-02-16 |
| 申请日期 | 1997-07-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85206]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中川 清和,木村 嘉伸,宮尾 正信. 4族系半導体装置、半導体光装置、および半導体高発光部材. JP1999046014A. 1999-02-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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