窒化物系半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 亀山 真吾; 野村 康彦; 廣山 良治; 畑 雅幸 |
| 发表日期 | 2009-05-07 |
| 专利号 | JP2009099959A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】共振器面に形成される保護膜の剥離が十分に防止された窒化物系半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】n型GaN基板101は、(11-20)面から[000-1]方向に約0.3度傾斜した結晶成長面を有するオフ基板である。n型GaN基板101上に、複数の103〜110からなる窒化物系半導体層が形成されている。窒化物系半導体レーザ素子1の光出射面1Fは(0001)面のへき開面からなり、後面1Bは(000-1)面のへき開面からなる。これにより、光出射面1FがGa極性面となり、後面1BがN極性面となる。光導波路WGに位置する光出射面1Fの部分、および光導波路WGに位置する後面1Bの部分が、一対の共振器面となる。光出射面1Fには、保護膜として酸化膜であるAl2O3膜211が形成される。後面1Bには、保護膜として窒化膜であるAlN膜221が形成される。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2009-05-07 |
| 申请日期 | 2008-09-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85207]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 亀山 真吾,野村 康彦,廣山 良治,等. 窒化物系半導体レーザ素子. JP2009099959A. 2009-05-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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