半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 川中 敏; 田中 俊明 |
| 发表日期 | 1998-08-07 |
| 专利号 | JP1998209553A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】アスペクト比が小さく、光出力-電流特性が優れた高信頼の半導体レーザ素子を容易に実現できる素子構造を提供する。 【解決手段】半導体基板上にGaInP/AlGaInP量子井戸構造を活性領域としたダブルヘテロ構造を有し、電流狭窄構造となる埋込構造を設けたAlGaInP半導体レーザ素子において、レーザ光の吸収が少ない半導体結晶として無秩序化させたGaInP混晶を埋込層の一部に用い、埋込層の中でレーザ光に対して吸収層となる層へのレーザ光の漏れを抑制した構造とし、電流狭窄を行うストライプ構造の幅を狭めて高次の横モードを抑制する。 |
| 公开日期 | 1998-08-07 |
| 申请日期 | 1997-01-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85212]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川中 敏,田中 俊明. 半導体レーザ素子. JP1998209553A. 1998-08-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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