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半導体光素子及び歪超格子を用いたTE/TM位相整合光導波路素子

文献类型:专利

作者中西 宏一郎; 織田 仁
发表日期1994-06-28
专利号JP1994180405A
著作权人CANON INC
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体光素子及び歪超格子を用いたTE/TM位相整合光導波路素子
英文摘要【目的】集積化に適した導波型半導体光素子及び歪超格子を用いてTE波/TM波間の完全なモード変換を実現する光導波路素子である。 【構成】基板2面に対して傾いた光導波路6aを持つ半導体光素子部10と、基板2面に対して水平な光導波路6cを持つ光素子部12と、基板2面に対しての傾きが45°から0°まで連続的に変化する光導波路6bを持ち、2つの光導波路6a、6cを滑らかに繋いでいる接続部とから構成される。また、半導体歪超格子構造を用いた光導波路において、井戸層の格子定数を障壁層のそれより小さくし、面内引っ張り応力を与え軽い正孔の基底準位を重い正孔のそれより安定化し、軽い正孔と伝導帯電子の基底準位との間の光学遷移確率を大きくする。
公开日期1994-06-28
申请日期1992-12-14
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85213]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位CANON INC
推荐引用方式
GB/T 7714
中西 宏一郎,織田 仁. 半導体光素子及び歪超格子を用いたTE/TM位相整合光導波路素子. JP1994180405A. 1994-06-28.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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