窒化物半導体レーザー
文献类型：专利
| 作者 | 佐野 雅彦; 長浜 慎一; 中村 修二 |
| 发表日期 | 1999-11-30 |
| 专利号 | JP1999330610A |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザー |
| 英文摘要 | 【課題】本発明は窒化物半導体(InxAlyGa1-x-yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)を用いた窒化物半導体レーザーに係わり、特に実装時においても信頼性が高く量産性に優れた窒化物半導体レーザーを提供することにある。 【解決手段】導電性基板上に設けられた凸型ストライプ状導波路領域と、該導波路領域から連続する略平滑面とを有する窒化物半導体レーザーである。特に、導波路領域上に設けられたストライプ状の第1電極と、第1電極と電気的に接続され絶縁性保護膜を介して窒化物半導体の平滑面上に配置されたワイヤボンディング用のパッド電極と、導電性基板を介して第1電極と対向して設けられた第2電極とを有する窒化物半導体レーザーである。 |
| 公开日期 | 1999-11-30 |
| 申请日期 | 1998-05-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85214]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐野 雅彦,長浜 慎一,中村 修二. 窒化物半導体レーザー. JP1999330610A. 1999-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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