半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 池田 裕章; 大林 健 |
| 发表日期 | 1997-07-31 |
| 专利号 | JP1997199790A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 キャップ層側面のブロック層の層厚を制御して、半導体レーザ素子の特性を向上させる。 【解決手段】 実屈折率ガイド型のリッジガイド構造の半導体レーザ素子において、リッジ部分のキャップ層の幅を、クラッド層の幅より広くする。 |
| 公开日期 | 1997-07-31 |
| 申请日期 | 1996-01-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85218]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 池田 裕章,大林 健. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1997199790A. 1997-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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