半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 安部 克則; 渥美 欣也; 松下 規由起; 木村 裕治 |
| 发表日期 | 1996-02-02 |
| 专利号 | JP1996032171A |
| 著作权人 | NIPPONDENSO CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 大出力半導体レーザの光出力を増大させる。 【構成】 半導体基板1上に、少なくとも第1の半導体クラッド層3、半導体活性層5、第2の半導体クラッド層7が順次積層形成されて半導体レーザが構成される。この半導体レーザは、上記の各層に電流を供給する電極10のストライプ幅が100μm以上である大出力の半導体レーザである。ここで、上記活性層5は、組成の異なる2種類の半導体材料が交互に積層された多重量子井戸構造ものであり、その多重量子井戸の井戸層を4層以上としている。 |
| 公开日期 | 1996-02-02 |
| 申请日期 | 1994-07-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85223]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPONDENSO CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安部 克則,渥美 欣也,松下 規由起,等. 半導体レーザ. JP1996032171A. 1996-02-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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