半導体基板の劈開面同士の接合方法および集積化半導体光デバイス
文献类型：专利
| 作者 | 高森 毅; 和田 浩; 上條 健 |
| 发表日期 | 1997-02-07 |
| 专利号 | JP1997036485A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体基板の劈開面同士の接合方法および集積化半導体光デバイス |
| 英文摘要 | 【目的】 異なる結晶層を横方向に連続的に形成する新規な方法を提供すること。 【構成】 半絶縁性のGaAs下地基板10上に、p型AlxGa1-xAs(x=0.5)第1クラッド層12、p型GaAs型活性層14、p型AlxGa1-xAs(x=0.5)第2クラッド層16、およびp型GaAsコンタクト層18を順に結晶成長させて第1半導体基板110を形成する。また、半絶縁性のGaAs下地基板20上に、n型AlxGa1-xAs(x=0.5)第1クラッド層22、n型GaAs活性層24、n型AlxGa1-xAs(x=0.5)第2クラッド層26、およびn型GaAsコンタクト層28を順に結晶成長させて第2半導体基板120を形成する。その後、第1半導体基板を劈開させて生じる第1劈開面110bおよび第2半導体基板120を劈開させて生じる第2劈開面120bとを平板30上で密着させ、その状態で、劈開済みの、第1および第2半導体基板110a、120aを水素雰囲気中400℃で約1時間加熱処理する。 |
| 公开日期 | 1997-02-07 |
| 申请日期 | 1995-07-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85224]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高森 毅,和田 浩,上條 健. 半導体基板の劈開面同士の接合方法および集積化半導体光デバイス. JP1997036485A. 1997-02-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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