半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 栗原 春樹; 松浦 初美; 島田 直弘 |
| 发表日期 | 1995-11-10 |
| 专利号 | JP1995297484A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【構成】 本発明の半導体レーザ装置は、第1導電型の第1クラッド層14上に、活性層15、所定箇所にリッジ部を有する第2導電型の第2クラッド層16、第2導電型の第1コンタクト層18とが順次形成され、第2クラッド層16と第1コンタクト層18との接続面において、その電気的接触状態は、リッジ部においてオーミック接触、第2クラッド層16のリッジ部を除く領域において非オーミック接触である半導体レーザ装置において、不純物濃度がリッジ部の領域よりも高い第2クラッド層16を具備する。 【効果】 本発明を用いると、バンド不連続により得られる良好な電流阻止構造を損なうこと無く、従来の半導体レーザでは問題であった高い等価抵抗rを低下させることができ、あるいは高い等価電気容量Cを低下することができる。その結果、高周波変調特性を有する半導体レーザ装置を提供することができる。 |
| 公开日期 | 1995-11-10 |
| 申请日期 | 1994-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85232]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 栗原 春樹,松浦 初美,島田 直弘. 半導体レーザ装置. JP1995297484A. 1995-11-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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