面発光型半導体レーザ装置
文献类型:专利
作者 | 中野 好典 |
发表日期 | 1994-05-31 |
专利号 | JP1994152047A |
著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 面発光型半導体レーザ装置 |
英文摘要 | 【目的】 歩溜りの悪いDBRを必要とせず、しかも微小サイズ化が期待できる面発光型半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 円形もしくは多角形状のヘテロ接合を形成する活性層8と、該活性層8の上下に設けられた円形もしくは多角形状の上部クラッド層7及び下部クラッド層9とを有し、前記上部クラッド層7の周辺部に沿って光共振器が形成されている半導体レーザ装置において、前記上部クラッド層7の表面に該上部クラッド層7の周辺部に対して垂直な方向に2次の回折格子2を形成することにより、基板3に対して垂直な方向にレーザ光を出射可能とする。 |
公开日期 | 1994-05-31 |
申请日期 | 1992-11-02 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85238] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 中野 好典. 面発光型半導体レーザ装置. JP1994152047A. 1994-05-31. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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