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面発光型半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者中野 好典
发表日期1994-05-31
专利号JP1994152047A
著作权人NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名面発光型半導体レーザ装置
英文摘要【目的】 歩溜りの悪いDBRを必要とせず、しかも微小サイズ化が期待できる面発光型半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 円形もしくは多角形状のヘテロ接合を形成する活性層8と、該活性層8の上下に設けられた円形もしくは多角形状の上部クラッド層7及び下部クラッド層9とを有し、前記上部クラッド層7の周辺部に沿って光共振器が形成されている半導体レーザ装置において、前記上部クラッド層7の表面に該上部クラッド層7の周辺部に対して垂直な方向に2次の回折格子2を形成することにより、基板3に対して垂直な方向にレーザ光を出射可能とする。
公开日期1994-05-31
申请日期1992-11-02
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85238]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
中野 好典. 面発光型半導体レーザ装置. JP1994152047A. 1994-05-31.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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