半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 庄野 昌幸; 本多 正治; ▲ひろ▼山 良治; 池上 隆俊; 賀勢 裕之 |
| 发表日期 | 1994-06-28 |
| 专利号 | JP1994181361A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 発振閾値の温度特性に優れ、高い温度,高出力時での発振が可能なAlGaInP系半導体レーザ素子を提供することが目的である。
【構成】 n型GaAs基板と、この基板上に形成されたn型AlGaInP第1クラッド層3と、この第1クラッド層3上に形成された活性層4と、この活性層4上に形成されたp型AlGaInP第2クラッド層5からなる半導体レーザ素子において、第2クラッド層5中に層厚DwÅのp型(AluGa1-u)0.5In0.5P井戸層6aと層厚DbÅのp型(AlvGa1-v)0.5In0.5P(0≦u |
| 公开日期 | 1994-06-28 |
| 申请日期 | 1992-12-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85268]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 庄野 昌幸,本多 正治,▲ひろ▼山 良治,等. 半導体レーザ素子. JP1994181361A. 1994-06-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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