半導体レーザー装置
文献类型：专利
| 作者 | 蔵町 照彦; 氏家 善宏 |
| 发表日期 | 2007-01-18 |
| 专利号 | JP2007013002A |
| 著作权人 | FUJIFILM HOLDINGS CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザー素子を半田によりジャンクションダウン構造でヒートシンクに固定してなる半導体レーザー装置において、発光領域に生じる応力を十分に低減する。 【解決手段】 基板1s上に複数の半導体層1cが形成されるとともに、該層1cの基板と反対側の表面に電極1dが形成されてなる半導体レーザー素子1と、この半導体レーザー素子1が、前記電極1dが形成された表面側から半田7で接合されたヒートシンク2とを備えてなる半導体レーザー装置10において、融解後に固化した半田7によって半導体レーザー素子1がヒートシンク2に接合された状態において、該半田7と半導体レーザー素子1の光導波路Qとの距離が20μm以上有るようにする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2007-01-18 |
| 申请日期 | 2005-07-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85271]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJIFILM HOLDINGS CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔵町 照彦,氏家 善宏. 半導体レーザー装置. JP2007013002A. 2007-01-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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