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半導体発光素子、半導体発光素子アレー、光学検知装置、光学的情報処理装置および発光装置。

文献类型:专利

作者速水 一行
发表日期1994-03-11
专利号JP1994069540A
著作权人オムロン株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体発光素子、半導体発光素子アレー、光学検知装置、光学的情報処理装置および発光装置。
英文摘要【目的】 電流狭窄構造を有し、しかも、素子の同一方向にp側電極及びn側電極が設けられた半導体発光素子を提供する。 【構成】 p型基板1上にp型下部クラッド層2、活性層3、n型上部クラッド層4、p型電流ブロック層5およびn型キャップ層6を積層する。このウエハ14の一部領域に上部クラッド層4に達する深さのn型電流通路領域(Si拡散域)9と、下部クラッド層2に達する深さのp型電流通路領域(Zn拡散域)10を形成し、両領域10,9を分離するようにウエハ全幅にわたってアイソレート用溝11を掘り込む。アイソレート用溝11を隔ててp型電流通路領域10側にp側電極8を設け、n型電流通路領域9側にn側電極7を設け、n型電流通路領域9と対向させて基板1に光取り出し窓12を開口する。
公开日期1994-03-11
申请日期1992-08-19
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85273]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位オムロン株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
速水 一行. 半導体発光素子、半導体発光素子アレー、光学検知装置、光学的情報処理装置および発光装置。. JP1994069540A. 1994-03-11.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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