半導体発光素子、半導体発光素子アレー、光学検知装置、光学的情報処理装置および発光装置。
文献类型:专利
作者 | 速水 一行 |
发表日期 | 1994-03-11 |
专利号 | JP1994069540A |
著作权人 | オムロン株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体発光素子、半導体発光素子アレー、光学検知装置、光学的情報処理装置および発光装置。 |
英文摘要 | 【目的】 電流狭窄構造を有し、しかも、素子の同一方向にp側電極及びn側電極が設けられた半導体発光素子を提供する。 【構成】 p型基板1上にp型下部クラッド層2、活性層3、n型上部クラッド層4、p型電流ブロック層5およびn型キャップ層6を積層する。このウエハ14の一部領域に上部クラッド層4に達する深さのn型電流通路領域(Si拡散域)9と、下部クラッド層2に達する深さのp型電流通路領域(Zn拡散域)10を形成し、両領域10,9を分離するようにウエハ全幅にわたってアイソレート用溝11を掘り込む。アイソレート用溝11を隔ててp型電流通路領域10側にp側電極8を設け、n型電流通路領域9側にn側電極7を設け、n型電流通路領域9と対向させて基板1に光取り出し窓12を開口する。 |
公开日期 | 1994-03-11 |
申请日期 | 1992-08-19 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85273] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | オムロン株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 速水 一行. 半導体発光素子、半導体発光素子アレー、光学検知装置、光学的情報処理装置および発光装置。. JP1994069540A. 1994-03-11. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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