半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大塚 信之; 鬼頭 雅弘; 松井 康 |
| 发表日期 | 2001-03-09 |
| 专利号 | JP3166236B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 分布利得型DFBレーザに関するもので、特にTMモード発振を抑圧した安定な単一モード発振が得られ、さらにホールバーニングを低減する形状を提供することで高歩留まり化を実現した半導体レーザ装置の構造および製造方法を提供する。 【構成】 n-InP基板1上に、分布利得型回折格子2を形成したInGaAsP(λ=3μm)導波路層5、分布帰還型形回折格子4を形成したInGaAsP(λ=55μm)活性層6、p-n-pInP埋め込み層7、p-InGaAsP(λ=3μm)キャップ層8、蒸着によりAu/Znp側電極9、Au-Sn n側電極10よりなる。最後に多層反射膜11、無反射膜12を堆積しレーザ構造を得る。 |
| 公开日期 | 2001-05-14 |
| 申请日期 | 1991-10-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85284]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大塚 信之,鬼頭 雅弘,松井 康. 半導体レーザおよびその製造方法. JP3166236B2. 2001-03-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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