半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 築地 直樹; 岩瀬 正幸 |
| 发表日期 | 1995-03-03 |
| 专利号 | JP1995058410A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 劣化を抑制することができる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【構成】 化合物半導体基板上にInと、少なくともAsまたはPを含む5族元素からなる化合物半導体エピタキシャル層1を形成し、該エピタキシャル層1表面に接して、活性層3直上部の少なくとも一部の領域に、Auを含む金属膜2を形成し、該金属膜2と前記エピタキシャル層1との合金化を行う工程を有する半導体レーザ素子の製造方法において、活性層3直上部の金属膜2端部を覆うように保護膜5を形成し、この状態で金属膜2と前記エピタキシャル層1との合金化を行う。 |
| 公开日期 | 1995-03-03 |
| 申请日期 | 1993-08-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85294]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 築地 直樹,岩瀬 正幸. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1995058410A. 1995-03-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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