半導体発光装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 稲葉 雄一; 石野 正人; 大塚 信之 |
| 发表日期 | 2001-12-28 |
| 专利号 | JP3264179B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 簡単な工程によりリッジ導波路型半導体レーザを製造する。 【解決手段】 n-InP基板101上に、n-InGaAsP光導波路層102、InGaAsP井戸層とInGaAsPバリア層から成る多重量子井戸活性層103、p-InGaAsP光導波路層104、さらにp-InPキャップ層105を有機金属気相成長法を用いて順次エピタキシャル成長させ、半導体多層構造を形成する。p-InPキャップ層105上にCVD法によりSiO2膜を堆積してパターニングする。ウェットエッチングによって絶縁膜マスク106を形成する。絶縁膜マスク106を設けたn-InP基板101上に、p-InPクラッド層107、p-InGaAsコンタクト層108を順次エピタキシャル成長させる。さらにマスク開口部分の領域のみにp-InPクラッド層107、p-InGaAsコンタクト層108の成長が行われる。これにより、自動的にリッジ導波路型半導体レーザが形成される。このレーザの製造方法では、リッジの幅が正確に規定できるため均一性の高いリッジ形成が可能となる。 |
| 公开日期 | 2002-03-11 |
| 申请日期 | 1996-07-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85297]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 稲葉 雄一,石野 正人,大塚 信之. 半導体発光装置およびその製造方法. JP3264179B2. 2001-12-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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