半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小野村 正明; 山本 雅裕; 布上 真也 |
| 发表日期 | 1999-10-08 |
| 专利号 | JP1999274642A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化物系半導体レーザにおける単一縦モード制御及び高次の横モード制御を可能にし、高い単色性と優れたビーム特性を実現し、且つ信頼性の向上をはかる。 【解決手段】 サファイア基板10上に、MQW活性層17をp型及びn型のAlGaNクラッド層12,20で挟んだ窒化物系半導体レーザにおいて、活性層17と基板10側のn型クラッド層12との間の領域に、W光吸収層13とSiO2層14からなる回折格子が形成されている。 |
| 公开日期 | 1999-10-08 |
| 申请日期 | 1998-03-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85306]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野村 正明,山本 雅裕,布上 真也. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1999274642A. 1999-10-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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