窒化物半導体レ—ザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 樋渡 竜也; 松本 秀俊; 金子 信一郎; 矢野 振一郎 |
| 发表日期 | 2000-03-21 |
| 专利号 | JP2000082866A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レ—ザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化物半導体レーザ素子における光共振面の形成技術に関する問題点を解消し、活性層に悪影響を与えることなくしかも歩留まり良く光共振面を作製することができる手段を提供することを目的とする。 【解決手段】 サファイア基板1の上面に少なくとも窒化物半導体層よりなるn型層3と活性層4とp型層5とが順に積層された窒化物半導体レーザ素子10において、素子用ウエハの活性層4が形成されていない領域であって活性層4に形成される光共振面の延長方向に、窒化物半導体層側からサファイア基板1内に達する第1の割溝S1を不連続状に形成し、この第1の割溝S1に沿ってウエハを割ることによって、活性層4の割れ面に光共振面を形成する。 |
| 公开日期 | 2000-03-21 |
| 申请日期 | 1999-04-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85311]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 樋渡 竜也,松本 秀俊,金子 信一郎,等. 窒化物半導体レ—ザ素子及びその製造方法. JP2000082866A. 2000-03-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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