半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 早藤 紀生; 鈴木 大輔 |
| 发表日期 | 1997-03-07 |
| 专利号 | JP1997064459A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 ドーパントの熱拡散を抑制した高品質の半導体装置を得る。 【解決手段】 InP基板1に設けられて電流が狭窄するための電流狭窄手段を構成しているMQW吸収層7と電流阻止層2、3及び4とが設けられ、また、その電流狭窄手段上に設けられた、BeをドープしたInPクラッド層11と、InPクラッド層11上に設けられ、Zn及びBeをドープしたInGaAsコンタクト層12とを備えた半導体装置である。 |
| 公开日期 | 1997-03-07 |
| 申请日期 | 1995-08-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85315]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 早藤 紀生,鈴木 大輔. 半導体装置. JP1997064459A. 1997-03-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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