リッジ導波路型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小林 正男 |
| 发表日期 | 2000-11-02 |
| 专利号 | JP2000307192A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | リッジ導波路型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 リッジ導波路型レーザでは、活性層への電流狭窄がうまく行なわれていなかった。レーザの閾値電流の低減に貢献するために、電流狭窄部をうまく作る方法を提供する。 【解決手段】 基板上に結晶成長させ、リッジ導波路部を製作すると活性層が素子全域に形成されているため、活性層の中央部に優先的に電流が流れなかった、活性層の一部を高抵抗化することによって中央部に優先的に電流が流れる構造を得ることが出来る。 |
| 公开日期 | 2000-11-02 |
| 申请日期 | 1999-04-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85316]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 正男. リッジ導波路型半導体レーザおよびその製造方法. JP2000307192A. 2000-11-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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