半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 中原 宏治; 土屋 朋信; 寺野 昭久; 柳澤 浩徳 |
| 发表日期 | 2010-02-12 |
| 专利号 | JP2010034246A |
| 著作权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】動作電圧が小さく安定して長期信頼性が得られる窒化物半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】基板1上に順に形成された第1導電型の下部クラッド層2、活性層5、第2導電型の上部クラッド層8と、その上に形成された第1の電極11とを有し、上部クラッド層は、ストライプ状のリッジ部S1が第1の面S2から連なって突出するリッジ形状を有し、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層の各々は、窒化物半導体層からなる。前記第1の電極は、リッジ部の上面と、リッジ部の側壁の少なくとも一部領域に接して設けられ、第1の面は絶縁膜で覆われ、第1の電極が接していない。これにより自発分極やピエゾ分極に起因する電荷をキャンセルすることができるために電圧が低減する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-02-12 |
| 申请日期 | 2008-07-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85318]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中原 宏治,土屋 朋信,寺野 昭久,等. 半導体レーザ素子. JP2010034246A. 2010-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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