半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 加藤 隆志 |
| 发表日期 | 2008-01-24 |
| 专利号 | JP2008016618A |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層へのキャリアの注入を妨げにくいキャリアストッパー層を有する半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子10aは、活性層15と、活性層上に設けられたp型クラッド層18を有する。活性層とp型クラッド層との間には電子ストッパー層17が設けられている。この電子ストッパー層は、活性層の伝導帯下端よりも高い伝導帯下端を有し、かつp型クラッド層の価電子帯上端よりも低い価電子帯上端を有する。電子ストッパー層の価電子帯上端は、p型クラッド層の側から活性層の側に向かって単調に低下する。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2008-01-24 |
| 申请日期 | 2006-07-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85323]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 隆志. 半導体レーザ素子. JP2008016618A. 2008-01-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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