半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 石橋 晃; 中山 典一; 奥山 浩之 |
| 发表日期 | 2003-12-26 |
| 专利号 | JP3505780B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 p側電極を、電気的、機械的に良好にコンタクト層にコンタクトして動作電圧の低減化、長寿命化、信頼性の向上をはかる。 【構成】 p側電極9がこの電極9のコンタクト層7の上面7aおよび側面7bに渡って被着する構造とする。 |
| 公开日期 | 2004-03-15 |
| 申请日期 | 1994-05-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85324]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石橋 晃,中山 典一,奥山 浩之. 半導体発光素子. JP3505780B2. 2003-12-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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