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半導体発光素子

文献类型:专利

作者石橋 晃; 中山 典一; 奥山 浩之
发表日期2003-12-26
专利号JP3505780B2
著作权人ソニー株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名半導体発光素子
英文摘要【目的】 p側電極を、電気的、機械的に良好にコンタクト層にコンタクトして動作電圧の低減化、長寿命化、信頼性の向上をはかる。 【構成】 p側電極9がこの電極9のコンタクト層7の上面7aおよび側面7bに渡って被着する構造とする。
公开日期2004-03-15
申请日期1994-05-16
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85324]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ソニー株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
石橋 晃,中山 典一,奥山 浩之. 半導体発光素子. JP3505780B2. 2003-12-26.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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