Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor
文献类型：专利
| 作者 | SHAKUDA, YUKIO |
| 发表日期 | 2006-02-07 |
| 专利号 | US6996150 |
| 著作权人 | ROHM CO., LTD. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| 英文摘要 | A semiconductor light emitting device of double hetero junction includes an active layer and clad layers. The clad layers include an n-type layer and p-type layer. The clad layers sandwich the active layer. A band gap energy of the clad layers is larger than that of the active layer. The band gap energy of the n-type clad layer is smaller than of the p-type clad layer. |
| 公开日期 | 2006-02-07 |
| 申请日期 | 2000-06-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85325]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO., LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SHAKUDA, YUKIO. Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor. US6996150. 2006-02-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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