光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 関口 茂昭 |
| 发表日期 | 2007-07-26 |
| 专利号 | JP2007189080A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】TDA-DFBレーザなどの、隣り合う異なる光機能領域を、隣り合う陽極側電極で制御する場合において、その陽極側電極間の分離抵抗を大きく、光損失が少なく、かつ容易に製造可能な構造を有する光半導体装置を得る。 【解決手段】隣り合う異なる光機能領域の、一方の光機能領域における陽極側をp型とするように基板側からn型クラッド層·i型コア層·p型クラッド層とするのに対し、他方の光機能領域における陽極側をn型とするように、基板側からn型クラッド層·i型コア層·p型クラッド層·トンネル接合層·n型半導体層と、トンネル接合を介する構造とする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2007-07-26 |
| 申请日期 | 2006-01-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85329]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 関口 茂昭. 光半導体装置. JP2007189080A. 2007-07-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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