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光モジュール及び半導体光デバイス

文献类型:专利

作者中塚 慎一; 青木 雅博
发表日期2004-04-15
专利号JP2004119459A
著作权人HITACHI LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光モジュール及び半導体光デバイス
英文摘要【課題】導波する光信号の強度を変調する機能を有する光導波路に光の出射位置あるいは出射方向を変調する機能を付加し光変調強度の消光比を増大する。 【解決手段】本発明は、レーザ発振部と光変調部とを少なくとも有し、前記光変調部の光導波路のコア部が、光軸方向に直交する面内で、その複素屈折率が非対称となるように制御可能となされている半導体光デバイス及びこれを備えた光モジュールである。これにより導波路内を伝播する光が、強度変調に加え出射位置の変調も受けるため、受光用開口を特定の偏向を受けた光を多く受光する位置に設けることにより、光変調強度の消光比を増大することが可能となる。 【選択図】 図17
公开日期2004-04-15
申请日期2002-09-24
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85333]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位HITACHI LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
中塚 慎一,青木 雅博. 光モジュール及び半導体光デバイス. JP2004119459A. 2004-04-15.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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