半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 石川 秀人 |
| 发表日期 | 1997-10-31 |
| 专利号 | JP1997283856A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 温度特性が良好でしかも製造が容易なAlGaInP系半導体レーザを実現する。 【解決手段】 n型GaAs基板1上にn型GaAsバッファ層2を介してn型AlGaInPクラッド層3、ノンドープGaInPなどからなる活性層5、p型AlGaInPクラッド層8などを積層して構成されるAlGaInP系半導体レーザにおいて、p型AlGaInPクラッド層8と活性層5との間に(AlxSL-a Ga1-xSL+a )1-ySL-b InySL+b P/(AlxSL+a Ga1-xSL-a )1-ySL+b InySL-b P歪超格子層(ただし、aはxSL以下の正の数、bはySL以下の正の数)7を設け、p型AlGaInPクラッド層8と活性層5との間の実効的なヘテロ障壁を増大させる。 |
| 公开日期 | 1997-10-31 |
| 申请日期 | 1996-04-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85337]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 秀人. 半導体レーザ. JP1997283856A. 1997-10-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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