半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 佐々井 洋一; 辻村 歩; 上山 智; 齋藤 徹 |
| 发表日期 | 1997-09-05 |
| 专利号 | JP1997232672A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 ZnSe系2-6族化合物半導体を用い、低欠陥の青緑色半導体レーザを提供する。 【解決手段】 n型GaAs基板1上にn型ZnSe層3を形成したのち、低濃度のMg組成(10%以下)のn型ZnMgSSe半導体バッファ層4を形成し、その後順次n型ZnMgSSeクラッド層5、活性層7、p型ZnMgSSeクラッド層9を形成する。バッファ層4のMg組成を制御することによって、 GaAs基板とII-VI族半導体界面に発生する欠陥が低減され、長寿命かつ低電流動作可能な半導体レーザが実現する。 |
| 公开日期 | 1997-09-05 |
| 申请日期 | 1996-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85349]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々井 洋一,辻村 歩,上山 智,等. 半導体発光素子. JP1997232672A. 1997-09-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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