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半導体発光素子

文献类型:专利

作者佐々井 洋一; 辻村 歩; 上山 智; 齋藤 徹
发表日期1997-09-05
专利号JP1997232672A
著作权人MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体発光素子
英文摘要【課題】 ZnSe系2-6族化合物半導体を用い、低欠陥の青緑色半導体レーザを提供する。 【解決手段】 n型GaAs基板1上にn型ZnSe層3を形成したのち、低濃度のMg組成(10%以下)のn型ZnMgSSe半導体バッファ層4を形成し、その後順次n型ZnMgSSeクラッド層5、活性層7、p型ZnMgSSeクラッド層9を形成する。バッファ層4のMg組成を制御することによって、 GaAs基板とII-VI族半導体界面に発生する欠陥が低減され、長寿命かつ低電流動作可能な半導体レーザが実現する。
公开日期1997-09-05
申请日期1996-02-27
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85349]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
佐々井 洋一,辻村 歩,上山 智,等. 半導体発光素子. JP1997232672A. 1997-09-05.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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