垂直腔表面發射激光器及其製造方法
文献类型：专利
| 作者 | KAPON, ELYAHOU; IAKOVLEV, VLADIMIR; SIRBU, ALEXEI; RUDRA, ALOK |
| 发表日期 | 2007-01-05 |
| 专利号 | HK1069020A |
| 著作权人 | ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE |
| 国家 | 中国香港 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 垂直腔表面發射激光器及其製造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种电泵激VCSEL及其制造方法。这种VCSEL包含一夹在顶部和底部DBR叠层之间的活性腔体材料，顶部DBR至少有一个n－半导体层。该器件在活性腔体材料结构表面和顶部DBR叠层的n－半导体层之间确定一个孔区。该结构表面是由台面的顶面形成的，台面至少包含p++/n++隧道结的上n++层和台面之外的p－型层表面。结构表面与DBR叠层的n－半导体层的表面由于它们的变形而相熔合，从而在各熔合表面之间的台面附近产生一个空气隙。活性区被电流孔确定，电流孔包含被空气隙包围的台面，因而可以限制电流流向活性区，而空气隙使得VCSEL中的折射率产生横向变化。 |
| 公开日期 | 2007-01-05 |
| 申请日期 | 2005-02-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85356]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KAPON, ELYAHOU,IAKOVLEV, VLADIMIR,SIRBU, ALEXEI,等. 垂直腔表面發射激光器及其製造方法. HK1069020A. 2007-01-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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