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半导体激光器装置

文献类型:专利

作者川口真生
发表日期2011-01-05
专利号CN101939883A
著作权人松下电器产业株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光器装置
英文摘要本发明提供一种半导体激光器装置,该半导体激光器装置具有在基板(11)上所形成的且包含活性层(26)的半导体层层叠体(20)。半导体层层叠体(20)具有:将光射出的前端面;在与前端面交叉的方向上所形成的条状的波导部;在与前端面交叉的方向上延伸的第一区域(20A);与第一区域(20A)上表面的高度不同的第二区域(20B);在第一区域(20A)和第二区域(20B)之间所形成的、且与第二区域(20B)相比表面中的周期性的凹凸的变化小的平坦区域(20C)。并且,光波导路在平坦区域(20C)形成。
公开日期2011-01-05
申请日期2009-10-16
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85358]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下电器产业株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
川口真生. 半导体激光器装置. CN101939883A. 2011-01-05.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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