半导体激光元件
文献类型：专利
| 作者 | 落合真尚; 汤浅功治 |
| 发表日期 | 2009-01-07 |
| 专利号 | CN100449888C |
| 著作权人 | 日亚化学工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光元件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种可以适应高输出化或短波长化的具有端面保护膜的半导体激光元件。本发明是在光谐振器端面的至少一方上具有电介质膜的半导体激光元件，所述电介质膜是从所述半导体的端面侧开始依次形成由相同元素构成的第一电介质膜和第二电介质膜而成的，所述第一电介质膜含有由单晶构成的膜，所述第二电介质膜含有由非晶质构成的膜。 |
| 公开日期 | 2009-01-07 |
| 申请日期 | 2006-07-21 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85363]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亚化学工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 落合真尚,汤浅功治. 半导体激光元件. CN100449888C. 2009-01-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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