列島状活性領域を有する垂直空洞面放出レーザおよび製造方法
文献类型:专利
作者 | ウェンビン·ジアン; ジャマル·ラムダニ; マイエル·エス·レビー |
发表日期 | 1998-11-24 |
专利号 | JP1998313149A |
著作权人 | MOTOROLA INC |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 列島状活性領域を有する垂直空洞面放出レーザおよび製造方法 |
英文摘要 | 【課題】 高速光通信に用いるVCSEL(10)およびVCSEL(10)の製造方法を提供する。 【解決手段】 VCSEL(10)は、基板素子(12),第1ミラー·スタック(14),第1ミラー·スタック(14)に隣接する第1クラッディング領域(24)および第2クラッディング領域(25)間に挟持された列島状活性構造(23)を有する活性領域(20)を含み、第1ミラー·スタック(14)および活性領域(20)の格子を一致させている。列島状活性構造(23)は、複数の島状構造(35,36,37)、および第2クラッディング領域(25)と格子を一致させた第2ミラー·スタック(26)を含む。列島状活性構造(23)は、異なるバンドギャップを有する物質の層をエピタキシャル的に成長させ、その後これらの層を高温に露出させることによって形成し、異なるバンドギャップ物質で分離された島状構造を形成する。 |
公开日期 | 1998-11-24 |
申请日期 | 1998-04-23 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85364] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | MOTOROLA INC |
推荐引用方式 GB/T 7714 | ウェンビン·ジアン,ジャマル·ラムダニ,マイエル·エス·レビー. 列島状活性領域を有する垂直空洞面放出レーザおよび製造方法. JP1998313149A. 1998-11-24. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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