半导体激光装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 堀江淳一 |
| 发表日期 | 2007-02-14 |
| 专利号 | CN1913262A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明构成发光特性佳、高效率且高输出的半导体激光装置。该半导体激光装置具备第一LD结构(14)，该结构具备：n－GaAs衬底(12)上依次配设的第一n型包层；包含量子阱层的第一激活层(18)；该第一激活层(18)上配设的第一p型包层(20)；该第一p型包层(20)上配设、具有与第一p型包层(20)相同构成元素的p型的信号层(22)；以及该信号层(22)上条纹台面状配设，具有与信号层(22)相同构成元素且其中互补关系的两种构成元素的组分比不同于信号层(22)的p型的脊波导(24)。 |
| 公开日期 | 2007-02-14 |
| 申请日期 | 2006-07-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85365]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀江淳一. 半导体激光装置及其制造方法. CN1913262A. 2007-02-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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