半導體激光器和其製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 長谷川義晃; 橫川俊哉 |
| 发表日期 | 2009-02-20 |
| 专利号 | HK1118962A |
| 著作权人 | 松下電器產業株式會社 |
| 国家 | 中国香港 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導體激光器和其製造方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器，在基板(11)上顺序层叠n型半导体层(13)、活性层(101)和p型半导体层(24)，所述活性层(101)包含由InGaN所构成的阱层，在活性层(101)和p型半导体层(24)之间，形成实质上不掺杂杂质的由氮化镓系列化合物半导体所构成的中间层(21)。利用该半导体激光器，可实现高的光输出动作下的长寿命。 |
| 公开日期 | 2009-02-20 |
| 申请日期 | 2008-09-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85372]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器產業株式會社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長谷川義晃,橫川俊哉. 半導體激光器和其製造方法. HK1118962A. 2009-02-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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