面発光型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山本 将央; 吉川 昌宏; 近藤 崇 |
| 发表日期 | 2012-02-03 |
| 专利号 | JP4915197B2 |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】幅広い温度範囲で安定して動作することができるVCSELを提供する。 【解決手段】VCSELは、基板102上に、n型の下部DBR106、活性層108b、電流狭窄層110、p型上部DBR112、p型GaAsコンタクト層114を積層し、コンタクト層114上にレーザ光の出射領域を規定する開口部132を含むp側上部電極130が形成されている。DBRは、アルミニウムの組成の異なるAlxGa1-xAs層(0≦x≦1)とAlyGa1-yAs層(0≦y≦1、xxGa1-xAs層のバンドギャップエネルギーと活性層のバンドギャップエネルギーとの差分Sが、0.1eV≦S≦0.3eVである。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2012-04-11 |
| 申请日期 | 2006-10-11 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85391]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 将央,吉川 昌宏,近藤 崇. 面発光型半導体レーザおよびその製造方法. JP4915197B2. 2012-02-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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