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Oberflächenemittierender Halbleiterlaserchip und Laseranordnung mit einem oberflächenemittierenden Halbleiterchip

文献类型:专利

作者ILLEK STEFAN; LINDBERG HANS
发表日期2010-02-18
专利号DE102008038804A1
著作权人OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
国家德国
文献子类发明申请
其他题名Oberflächenemittierender Halbleiterlaserchip und Laseranordnung mit einem oberflächenemittierenden Halbleiterchip
英文摘要In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenemittierenden Halbleiterlaserchips (1) umfasst dieser eine erste Schichtenfolge (2), die für eine Primärstrahlung (P) mit einer Primärwellenlänge (lambdap) reflektierend wirkt, und einen Schichtenstapel (4), der dazu ausgestaltet ist, die Primärstrahlung (P) zu emittieren und der zumindest zwei aktive Bereiche (5) aufweist. Ein Teil der Schichten der ersten Schichtenfolge (2) ist hierbei im Schichtenstapel (4) verteilt. Ein solcher oberflächenemittierender Halbleiterlaserchip (1) weist geringe optische Verluste im Halbleiterlaserchip (1) auf und hat somit eine hohe Effizienz.
公开日期2010-02-18
申请日期2008-08-13
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85392]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
推荐引用方式
GB/T 7714
ILLEK STEFAN,LINDBERG HANS. Oberflächenemittierender Halbleiterlaserchip und Laseranordnung mit einem oberflächenemittierenden Halbleiterchip. DE102008038804A1. 2010-02-18.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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