Oberflächenemittierender Halbleiterlaserchip und Laseranordnung mit einem oberflächenemittierenden Halbleiterchip
文献类型:专利
作者 | ILLEK STEFAN; LINDBERG HANS |
发表日期 | 2010-02-18 |
专利号 | DE102008038804A1 |
著作权人 | OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
国家 | 德国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | Oberflächenemittierender Halbleiterlaserchip und Laseranordnung mit einem oberflächenemittierenden Halbleiterchip |
英文摘要 | In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenemittierenden Halbleiterlaserchips (1) umfasst dieser eine erste Schichtenfolge (2), die für eine Primärstrahlung (P) mit einer Primärwellenlänge (lambdap) reflektierend wirkt, und einen Schichtenstapel (4), der dazu ausgestaltet ist, die Primärstrahlung (P) zu emittieren und der zumindest zwei aktive Bereiche (5) aufweist. Ein Teil der Schichten der ersten Schichtenfolge (2) ist hierbei im Schichtenstapel (4) verteilt. Ein solcher oberflächenemittierender Halbleiterlaserchip (1) weist geringe optische Verluste im Halbleiterlaserchip (1) auf und hat somit eine hohe Effizienz. |
公开日期 | 2010-02-18 |
申请日期 | 2008-08-13 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85392] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
推荐引用方式 GB/T 7714 | ILLEK STEFAN,LINDBERG HANS. Oberflächenemittierender Halbleiterlaserchip und Laseranordnung mit einem oberflächenemittierenden Halbleiterchip. DE102008038804A1. 2010-02-18. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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