半导体装置的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 广中美佐夫; 西口晴美; 藏本恭介; 楠政谕 |
| 发表日期 | 2011-07-27 |
| 专利号 | CN102136678A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体装置的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体装置的制造方法。通过在n型GaN衬底(10)上形成半导体层叠结构(12)，从而形成具有多个半导体激光器(14)的晶片(16)。接着，在半导体激光器(14)间的分离区域(18)中，在晶片(16)的主面形成第1槽部(22)。接着，将晶片(16)分离为半导体激光器14排列为棒状的激光棒(26)。接着，在激光棒(26)的第1槽部(22)内，形成具有与第1槽部(22)相同或较窄的宽度的第2槽部(30)。接着，沿着第2槽部(30)将激光棒(26)分离为各个半导体激光器(14)。 |
| 公开日期 | 2011-07-27 |
| 申请日期 | 2010-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85416]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 广中美佐夫,西口晴美,藏本恭介,等. 半导体装置的制造方法. CN102136678A. 2011-07-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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