Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 善积祐介; 高木慎平; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 上野昌纪; 住友隆道; 德山慎司; 片山浩二; 中村孝夫 |
| 发表日期 | 2012-10-03 |
| 专利号 | CN102714397A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种在六方晶系III族氮化物的c轴朝m轴的方向倾斜的支持基体的半极性面上，具有较高的振荡良率的激光共振器的III族氮化物半导体激光元件。成为激光共振器的第1及第2割断面27、29与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光元件11具有在m-n面与半极性面17a的交叉线的方向上延伸的激光波导。因此，可利用能够成为低阈值电流的带间跃迁的发光。在激光构造体13中，第1面13a为第2面13b的相反侧的面。第1及第2割断面27、29从第1面13a的边缘13c延伸至第2面13b的边缘13d为止。割断面27、29并非通过干式蚀刻形成，与c面、m面或a面等以往的裂面不同。 |
| 公开日期 | 2012-10-03 |
| 申请日期 | 2010-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85418]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 善积祐介,高木慎平,盐谷阳平,等. Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法. CN102714397A. 2012-10-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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