面発光型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 山本 将央; 吉川 昌宏; 近藤 崇 |
| 发表日期 | 2013-12-20 |
| 专利号 | JP5435008B2 |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】電流経路の電気抵抗の低減を図りつつ横モード制御が可能なVCSELを提供する。 【解決手段】VCSEL10、基板12上に形成され、Alを構成元素とする半導体被酸化層32を含む下部DBR14と、活性領域16と、ポストPに加工された上部DBR18とを備える。下部DBR14には、ポストPの外側において、その表面から半導体被酸化層32に到達する複数の孔30が形成されている。半導体被酸化層32には、孔30の側面から選択的に酸化された酸化領域34が形成されている。下部DBR14には、酸化領域34によって囲まれた非酸化領域(導電領域)による電流経路K1に加えて、酸化領域34を回り込むような電流経路K2が形成されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2014-03-05 |
| 申请日期 | 2011-10-24 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85419]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 将央,吉川 昌宏,近藤 崇. 面発光型半導体レーザ. JP5435008B2. 2013-12-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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