半导体激光器件
文献类型：专利
| 作者 | 渡边秀辉; 仓本大; 大木智之 |
| 发表日期 | 2013-09-25 |
| 专利号 | CN103329367A |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器件 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种二分式GaN基半导体激光器件，具有在朝向第一发光区域的可饱和吸收区域内不太可能发生损坏的配置和结构。所述半导体激光器件包括第一发光区域（41A）、第二发光区域（41B）、夹在上述发光区域之间的可饱和吸收区域（42）、第一电极和第二电极。激光从其第二发光区域侧的端面发出。所述半导体激光器件具有脊状条纹结构。第二电极（62）由第一部分（62A）、第二部分（62B）和第三部分（62C）构成。满足1 |
| 公开日期 | 2013-09-25 |
| 申请日期 | 2012-01-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85440]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡边秀辉,仓本大,大木智之. 半导体激光器件. CN103329367A. 2013-09-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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