多有源区外延结构、采用其的半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 侯继达; 熊聪; 刘素平; 马骁宇 |
| 发表日期 | 2016-03-23 |
| 专利号 | CN105429004A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 多有源区外延结构、采用其的半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种隧道级联多有源区外延结构，包括一衬底；多个分别限制的异质结构有源区，所述多个有源区依次在所述衬底上形成，且所述多个有源区之间均通过一反偏的PN结来连接。以及一种采用其的半导体激光器，该激光器在最上面的有源区上依次生长缓冲层和电极接触层，最后使用标准的宽面条形激光器制作工艺来完成后续激光器的制作。其中该外延结构中的有源区数目可以根据需要在2～4个之间调整。本发明的隧道级联多有源区外延结构及采用其的激光器降低了光功率密度，提高了输出功率和斜率效率，并大大减小了垂直发散角。 |
| 公开日期 | 2016-03-23 |
| 申请日期 | 2015-12-30 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85453]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 侯继达,熊聪,刘素平,等. 多有源区外延结构、采用其的半导体激光器及其制造方法. CN105429004A. 2016-03-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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